La mémoire flash NAND peut être sous-divisée en 2 grandes catégories : SLC et MLC.
SLC est l’abréviation de « Single-Level Cell »:
La mémoire SLC stocke une partie dans chaque cellule, ce qui conduit à une vitesse de transfert plus rapide, une consommation d’énergie plus faible et l’augmentation de l’endurance des cellules. Le seul inconvénient de la SLC est son coût de fabrication par Mo. Sur cette base, la mémoire SLC est utilisée pour les cartes mémoires de haute performance.
MLC est l’abréviation de « Multi-level Cell »:
La mémoire MLC enregistre trois fois plus de données dans chaque cellule. Cette carte mémoire permet donc d’atteindre des vitesses de transfert plus lentes, une consommation d’énergie plus importante et une endurance inférieures par rapport à une carte mémoire SLC. L’avantage de cette mémoire MLC réside dans ses coûts de production. La technologie MLC est utilisée principalement pour les produits standards. Le Multi-Bit Cell, MBC, est similaire à la technologie MLC mais ne stocke que deux bits par cellule.